張澤院士團隊王江偉研究員課題組在體心立方金屬納米線的變形機制方面取得重要進展

發(fā)布者:系統(tǒng)管理員審核:yqk終審:發(fā)布時間:2018-07-09瀏覽次數(shù):1865

76日,Science Advances在線發(fā)表了材料學(xué)院張澤院士團隊、王江偉研究員小組和美國匹茲堡大學(xué)毛星原教授的合作研究成果《體心立方金屬鈮納米線中取向轉(zhuǎn)動協(xié)調(diào)的超塑性變形》(Consecutive crystallographic reorientations and superplasticity in body-centered cubic niobium nanowies)。他們利用先進的球差校正電子顯微鏡結(jié)合力-電耦合原位樣品桿,對原位制備的納米線進行力學(xué)加載,觀察到了體心立方金屬鈮(Niobium, Nb)納米線的超塑性變形行為,并通過追蹤變形過程中晶體結(jié)構(gòu)的演變,進一步揭示了多重變形機制協(xié)同調(diào)控的取向轉(zhuǎn)變過程及其對納米線力學(xué)性能的貢獻,為金屬納米線性能的優(yōu)化及應(yīng)用提供了關(guān)鍵依據(jù)。

隨著微機電系統(tǒng)(MEMS)的小型化,強度高、變形能力突出的金屬納米線得到業(yè)內(nèi)的不斷關(guān)注,被認(rèn)為是構(gòu)筑納米尺度機電器件的重要材料。然而,材料臨界尺寸的下降使得金屬納米線表現(xiàn)出了與塊體材料截然不同的變形行為。近年來,微納尺度力學(xué)實驗和分子動力學(xué)(Molecular Dynamic, MD)模擬指出,隨著尺寸的減小,金屬納米線中控制塑性變形的主要機制發(fā)生了明顯的改變,甚至出現(xiàn)了許多新的塑性變形載體,極大的豐富了人們對納米力學(xué)行為的認(rèn)知。但是,由于體心立方(Body-centered Cubic, BCC)金屬的熔點較高,難以通過傳統(tǒng)的化學(xué)合成方法制備出BCC結(jié)構(gòu)的金屬納米線,使得目前大部分的實驗研究都只能圍繞面心立方(Face-centered Cubic, FCC)金屬納米線開展,而BCC金屬納米線力學(xué)性能的探索大部分仍停留在計算模擬階段。

相比于FCC結(jié)構(gòu)材料,BCC塊體金屬材料室溫下的塑性變形通常由螺位錯控制,而螺位錯的非平面核結(jié)構(gòu)使得其在運動過程中要克服較大的點陣阻力,決定了BCC金屬強度高、韌性差的宏觀機械性能。對于BCC金屬納米線而言,特別是100納米以下的納米線,盡管MD模擬和極少數(shù)實驗指出:孿生或相變將成為塑性變形的主要載體,但是由于幾何尺寸的約束,納米線的塑性變形仍然由單一機制主導(dǎo),使得納米線的變形能力受到了極大的限制;是否可以通過激發(fā)多重變形機制來提高納米線的變形能力是大家普遍關(guān)注的熱點問題。

在細(xì)致分析了上述研究現(xiàn)狀后,該研究小組采用了BCC結(jié)構(gòu)的金屬Nb作為模板材料,從原子尺度上揭示了金屬Nb納米線的超塑性變形行為及機制。首先,研究人員采用原位焊接技術(shù)在電鏡中獲得直徑10~29納米Nb/雙晶金屬納米線;通過控制原位樣品桿的可動端對目標(biāo)納米線施加應(yīng)變,與此同時,借助高速相機實時記錄變形過程中Nb納米線晶體結(jié)構(gòu)的動態(tài)演變。研究發(fā)現(xiàn)在單晶Nb納米線的拉伸變形過程中,應(yīng)力誘導(dǎo)的BCC-FCC-BCC相變、孿晶和位錯滑移在同一根納米線中次第發(fā)生,不斷改變著納米線的晶體學(xué)取向;而納米線晶體取向的改變又進一步影響著后續(xù)變形機制的啟動;最終,通過多重變形機制的協(xié)同作用,實現(xiàn)了伸長率高于269%的超塑性變形。該研究借助先進的原位電鏡技術(shù),深入分析了Nb納米線中相變、孿生和位錯運動引發(fā)的晶體取向變化過程,又從取向轉(zhuǎn)變?nèi)胧诌M一步討論了影響變形機制轉(zhuǎn)變的潛在因素,為BCC金屬納米線的力學(xué)性能優(yōu)化及應(yīng)用提供了新的實驗參考。

博士生王倩男是該工作的第一作者,通訊作者為王江偉研究員和毛星原教授。本研究得到了自然科學(xué)基金委和中央高校基本科研業(yè)務(wù)專項基金等的資助。

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1. 單晶Nb納米線變形過程中的連續(xù)取向轉(zhuǎn)變和超塑性變形行為:A. 原位焊接制備的直徑為13.7納米的Nb納米線;B. 相變誘導(dǎo)的[100]BCC-[110]FCC-[111]BCC取向轉(zhuǎn)變;C. 孿生引起的取向轉(zhuǎn)變;D-F. 位錯滑移導(dǎo)致的晶體取向轉(zhuǎn)動;G. 多次取向轉(zhuǎn)變后,Nb納米線的伸長率達(dá)到269%


文章鏈接: http://advances.sciencemag.org/content/4/7/eaas8850



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