半導體材料研究所起源于1954年在無線電系（原）建立的半導體材料研究小組，由已故中國科學院院士、浙江大學原副校長闕端麟教授創(chuàng)辦，是我國最早開展半導體材料研究的單位之一。1978年，由無線電系（原）調整進入材料系。在半導體材料研究所的基礎上，獲得國家第一批“半導體材料”碩士點，第一個“半導體材料”博士點，第一個“半導體材料”國家重點學科；以研究所為基礎，成立了“硅材料國家重點實驗室”，并主要參與創(chuàng)辦了浙江大學第一個上市公司。
該所1959年開始，以半導體硅材料作為主攻方向；1980年代后期，開展了半導體薄膜材料研究。近60年來，研究所在高純硅烷的提純和制取、高純硅的提純和制備、探測器級硅單晶的研究和開發(fā)、硅單晶中碳、氧的控制、硅單晶的電學測量、減壓充氮生長直拉硅單晶生長技術、微量摻氮直拉硅單晶的缺陷控制、ZnO薄膜的制備和p型摻雜、納米半導體的生長和制備等方面取得了系列重大成果。研究所曾獲得國家自然科學二等獎3項，國家發(fā)明二等、三等獎3項、何梁何利科技獎1項，中國青年科技獎1項，以及浙江省科技重大貢獻獎、信息產業(yè)重大技術發(fā)明獎、國家專利優(yōu)秀獎、省科技（發(fā)明）一等獎等20多項省部級科技獎。研究所在Nature、Nature Communications、Material Science and Engineering ：Report、Chemical Society Review,Advanced Materials、Physical Review Letters等國際著名雜志發(fā)表SCI論文1000多篇，獲得國家發(fā)明專利200多項。在半導體硅材料、ZnO薄膜材料等研究領域處于國內領先地位，并具有國際聲譽。
該所主要研究：
半導體硅材料：主要研究直拉硅單晶材料的生長、加工和缺陷工程，太陽能光伏硅材料的提純、制備、缺陷和電池工藝中的材料問題，硅基光電子材料與器件，納米硅（顆粒、線、管）的制備、表征和應用。
半導體薄膜材料：主要研究半導體薄膜材料的制備、性能調控及在能源領域的應用，著重研究ZnO薄膜的p型摻雜與和電致發(fā)光，高品質透明導電薄膜制備與應用，以及化合物半導體納米結構材料可控生長與性能。
研究所以中科院院士楊德仁教授、葉志鎮(zhèn)教授為學術帶頭人，有教職員工20多人。目前擁有中國科學院院士2人、國家杰出青年基金獲得者1人、教育部長江學者特聘教授1人，浙江省特級專家2人，國家“百千萬人才”2人，國家優(yōu)秀青年基金獲得者3人，國家萬人計劃領軍人才1人、青年拔尖人才1人，教育部跨（新）世紀人才基金獲得者3人，浙江省“151人才”近10人。擁有國家基金委創(chuàng)新研究群體1個、科技部重點領域創(chuàng)新團隊1個、教育部長江學者創(chuàng)新團隊1個和浙江省重點科技創(chuàng)新團隊2個。
所長：皮孝東，0571-87951016，xdpi@zju.edu.cn
副所長：彭新生(兼)，0571-87951958，pengxinsheng@zju.edu.cn
副所長：孫威，sunnyway423@zju.edu.cn
副所長：戴興良，shanfeng@zju.edu.cn
實驗室主任：方言俊，jkfang@zju.edu.cn
研究所辦公室：0571-87951667， Email: silab@cmsce.zju.edu.cn
